重掺杂高补偿锗的电导和磁阻

测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T<6K时,电导特性满足变距跳跃电导的T~(1/4)关系.在1060K时,基本带的扩展态电导起主要作用.在弱磁场下观察到负磁阻效应,磁场强度增大时磁阻变成正值.N型和P型样品的正磁阻部分分别与磁场强度的2.8次方和2次方成正比.