%0 Journal Article
%T 重掺杂高补偿锗的电导和磁阻
%A 李国华
%A 傅绮英
%A 吕红
%A 王大为
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T<6K时,电导特性满足变距跳跃电导的T~(1/4)关系.在1060K时,基本带的扩展态电导起主要作用.在弱磁场下观察到负磁阻效应,磁场强度增大时磁阻变成正值.N型和P型样品的正磁阻部分分别与磁场强度的2.8次方和2次方成正比.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C0B8FCC084BED982318C6866F785CCEE&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=50BBDFAC8381694B&eid=3A0155B37D8FF829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0