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ISSN: 2333-9721
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掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

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Abstract:

掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.

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