%0 Journal Article
%T 掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓
%A 林兰英
%A 叶式中
%A 何宏家
%A 曹福年
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D17EA98C27A2CF50&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=0B39A22176CE99FB&sid=02DC3A182A5530DF&eid=9F6DA927E843CD50&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0