a-Si:H材料中的场致电导漂移

本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场致电导漂移还与场致热激电流峰的出现相联系,按E_t=23KT计算,在较高电场(～2×10~3V/cm)作用下可出现两个能级,分别为E_c-E_t_1≈0.55ev与E_c-E_t_2≈0.62ev.文章最后对产生场致电导漂移的机理及它与Staebler-Wronski效应之间的关系进行了讨论.