%0 Journal Article
%T a-Si:H材料中的场致电导漂移
%A 熊绍珍
%A 孙钟林
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场致电导漂移还与场致热激电流峰的出现相联系,按E_t=23KT计算,在较高电场(～2×10~3V/cm)作用下可出现两个能级,分别为E_c-E_t_1≈0.55ev与E_c-E_t_2≈0.62ev.文章最后对产生场致电导漂移的机理及它与Staebler-Wronski效应之间的关系进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=67D54BF1825A90ED9E9CE234F7776537&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=AF4A4411BB448A36&eid=8966A0F1B07BE5EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0