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以虚晶近似(VCA)为零级近似,计入相干势近似(CPA)修正,使用由原子轨道的Bloch和为基的紧束缚方法(LCAO)计算了A_xB_(1-x)型合金GaAs_xP_(1-x)的能隙E_g随浓度x的变化.所得结果与实验符合很好.该方法也可用于其他任意的A_xB_(1-x)型合金,并能计算能带结构及态密度等别的量.
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