%0 Journal Article
%T 用计入相干势近似修正的LCAO方法计算合金的能隙变化
%A 陆奋
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 以虚晶近似(VCA)为零级近似,计入相干势近似(CPA)修正,使用由原子轨道的Bloch和为基的紧束缚方法(LCAO)计算了A_xB_(1-x)型合金GaAs_xP_(1-x)的能隙E_g随浓度x的变化.所得结果与实验符合很好.该方法也可用于其他任意的A_xB_(1-x)型合金,并能计算能带结构及态密度等别的量.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7EC0C665669F1275&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=A7AE820C12CC9AD3&eid=B54EB62E9D3FF31E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0