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ISSN: 2333-9721
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MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光

Keywords: 光致发光,掺杂,GaAs

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Abstract:

我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.

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