%0 Journal Article
%T MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光
%A 胡天斗
%A 许继宗
%A 梁基本
%A 庄蔚华
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.
%K 光致发光
%K 掺杂
%K GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F307DCFF9129ADA51DC4&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=38B194292C032A66&sid=8B59EA573021D671&eid=6ED15D8DCB279BC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0