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ISSN: 2333-9721
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Punchthrough Characteristics of LDD MOSFET''''s
漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通

Keywords: LDD MOSFET,short-channel MOSFET,Punchthrough,DIBL effect
MOSFET,源漏穿通,掺杂,LDD

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Abstract:

测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD MOSFET源漏穿通机制的定性解释.

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