Monte Carlo法研究短沟道MOS晶体管V_T的敏感度

本文用 Monte Carlo法研究了 MOSFET的几何尺寸、工艺参数在实际范围内波动时,阈值电压V_T的离散及其对氧化膜厚度t_(ox)、表面态电荷密度Q_(ss)、衬底杂质浓度N_A及沟道长度L等六个变量的敏感度.结果表明:V_T是正态分布;随着沟道变短进入短沟道区域,V_T对L的敏感度急剧上升,对t_(ox)、Q_(ss)及N_A的敏感度下降.