%0 Journal Article
%T Monte Carlo法研究短沟道MOS晶体管V_T的敏感度
%A 赵鸿麟
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文用 Monte Carlo法研究了 MOSFET的几何尺寸、工艺参数在实际范围内波动时,阈值电压V_T的离散及其对氧化膜厚度t_(ox)、表面态电荷密度Q_(ss)、衬底杂质浓度N_A及沟道长度L等六个变量的敏感度.结果表明:V_T是正态分布;随着沟道变短进入短沟道区域,V_T对L的敏感度急剧上升,对t_(ox)、Q_(ss)及N_A的敏感度下降.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E10BDE29B6882AC2&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=797D49279EA93BC4&eid=1B64850025D0BBBE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0