硅中负电态和中性态A中心在<100>单轴应力下的择优取向

本文指出,通过改变偏压和注入脉冲条件,单轴应力下的DLTS方法可以用来分别研究硅中纯的中性态和负电态A中心在单轴应力下的择优取向,并首次用此法测得中性态和负电态A中心在<100>单轴应力下不等价取向间能量差的压力系数,进而求得<100>单轴应力下不等价取向间电子能量差的压力系数。和已报道的单轴应力下EPR测得的结果作了比较。