%0 Journal Article
%T 硅中负电态和中性态A中心在<100>单轴应力下的择优取向
%A 姚秀琛
%A 牟建勋
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文指出,通过改变偏压和注入脉冲条件,单轴应力下的DLTS方法可以用来分别研究硅中纯的中性态和负电态A中心在单轴应力下的择优取向,并首次用此法测得中性态和负电态A中心在<100>单轴应力下不等价取向间能量差的压力系数,进而求得<100>单轴应力下不等价取向间电子能量差的压力系数。和已报道的单轴应力下EPR测得的结果作了比较。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4C26DADCDF3CE2853B2A5B18287F5257&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=A63576421B012172&eid=EFD65B51496FB200&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0