静电封接过程与机理研究

本文主要通过观察加热的硅-玻璃系统在静电场下的电流-时间(I-t)曲线。及其与封接状态的对应关系,用耗尽层和电场力的概念描述了封接的物理过程,讨论了表面状况对封接的影响,建立了表面粗糙程度与封接电压、材料刚度等参数的制约关系式,给出了可靠封接的余件和完成封接的I-t曲线判据.