%0 Journal Article
%T 静电封接过程与机理研究
%A 罗鸣
%A 赵新安
%A 张熙
%A 谭淞生
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文主要通过观察加热的硅-玻璃系统在静电场下的电流-时间(I-t)曲线。及其与封接状态的对应关系,用耗尽层和电场力的概念描述了封接的物理过程,讨论了表面状况对封接的影响,建立了表面粗糙程度与封接电压、材料刚度等参数的制约关系式,给出了可靠封接的余件和完成封接的I-t曲线判据.
%K 静电封接法
%K 硅片
%K 玻璃
%K 物理过程
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C84FFEF6C5CBA8F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B7B25E832E7F23D8&eid=25467A5A28500A25&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5