分子束外延设备和砷化镓单晶的生长

<正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底上进行晶体的外延生长.其特点是生长速度慢、生长温度低,可精确控制生长层的厚度、组分和杂质分布,生长的表面和界面有原子级的平整度,