%0 Journal Article
%T 分子束外延设备和砷化镓单晶的生长
%A 分子束外延设备研制协作组
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X <正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底上进行晶体的外延生长.其特点是生长速度慢、生长温度低,可精确控制生长层的厚度、组分和杂质分布,生长的表面和界面有原子级的平整度,
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C448BA89E488A556C205D7DED01EE7BD&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=F260CE035846B3B8&eid=ED01F5AE50BE09C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0