半绝缘GaAs中的深能级

在180-500 K温度范围测量了不掺杂半绝缘GaAs晶体的电阻率和霍耳系数.按结果可把样品分为两类:(一)高阻样品,激活能为0.71-0.64eV,由EL2能级决定;(二)中阻样品,激活能为 0.43 eV和 0.37 eV,由 EL5和 EL6能级决定,这与 Martin 等报道的结果有所不同.热处理实验进一步证实了我们的分析.