%0 Journal Article
%T 半绝缘GaAs中的深能级
%A 周炳林
%A 陈正秀
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在180-500 K温度范围测量了不掺杂半绝缘GaAs晶体的电阻率和霍耳系数.按结果可把样品分为两类:(一)高阻样品,激活能为0.71-0.64eV,由EL2能级决定;(二)中阻样品,激活能为 0.43 eV和 0.37 eV,由 EL5和 EL6能级决定,这与 Martin 等报道的结果有所不同.热处理实验进一步证实了我们的分析.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B4CBB0705F6537FA0A14F80129B85E4E&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8C83C265AD318E34&eid=89F76E117E9BDB76&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0