非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究

<正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面.