%0 Journal Article
%T 非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究
%A 莫培根
%A 吴巨
%A 李寿春
%A 詹千宝
%A 杨金华
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X <正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=60549503B0A40EC6&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=94C357A881DFC066&sid=C7A2B92569DF5458&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0