不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究

<正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷