%0 Journal Article
%T 不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究
%A 王阳元
%A 张利春
%A 吉力久
%A 倪学文
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5627F8A140A7CD31B1807ABC65983B8D&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=E2E0FBFE4D7EFB94&eid=002786F01A86D891&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0