用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱

<正> 硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+β~-(T_(1/2)=2.6h).由于NTD工艺具有掺杂均匀、易于精确控制等优点,日益受到注意.在大功率器件制造中已显示了它的优越性,人们正在研究将其用于制造高质量探测器等.NTD工艺会引入辐照损伤.~(30)Si原