%0 Journal Article %T 用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱 %A 吴书祥 %A 晏懋洵 %A 杜光庭 %A 孟祥提 %J 半导体学报 %D 1982 %I %X <正> 硅单晶的中子嬗变掺杂(NTD),是硅原子俘获热中子发生(n,r)反应而实现嬗变掺磷的.这一核反应过程是~(30)Si(n,r)~(31)Si→~(31)P+β~-(T_(1/2)=2.6h).由于NTD工艺具有掺杂均匀、易于精确控制等优点,日益受到注意.在大功率器件制造中已显示了它的优越性,人们正在研究将其用于制造高质量探测器等.NTD工艺会引入辐照损伤.~(30)Si原 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9AB9E4CE0F4F23F5CBDA78F11EF5D2B1&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=5B5B75F4854B8331&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0