磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究

<正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP(100)晶面,浓度 10~(16)cm~(-3),迁移率约 2500cm~2/V·s的单晶片上低温淀积SiO_2热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.