%0 Journal Article
%T 磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究
%A 陈克铭
%A 仇兰华
%A 崔玉德
%A 陈维德
%A 简萍清
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 利用φ550型AES和ESCA与离子溅射相结合方法,研究了n型InP(100)晶面,浓度 10~(16)cm~(-3),迁移率约 2500cm~2/V·s的单晶片上低温淀积SiO_2热氧化膜和阳极氧化膜与本体InP界面区的光电子能谱随深度的变化,及其各种氧化物和俄歇信号的深度分布.在深度分析中Ar作溅射气体,离子枪工作电压为2keV,离子流密度为8μA,电子束电压为3keV,其束流为5μA.同时用椭圆偏振光测厚仪,测定了两种氧化膜的厚度和折射率及介电常数,并且还测定了它们的击穿电压,其结果列于表1.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4738B111CA30780CC0BD48B90A7FF190&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=FD7C952458BFB5D8&eid=FE4C96E058BB2280&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0