半导体Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs DH激光器张弛振荡效应的实验研究

本文介绍了半导体DH激光器张弛振荡效应的测试原理与方法.重点测试了我所研制的质子轰击条形单模90-15~*DH激光器,测得其张弛振荡频率f_r从注入脉冲电流,I_p=1.5Ipth时的 800 MHz左右增至Ip=1.5I_(pth)时的2GHz左右;并对该器件的光子寿命τ_p和有源层腔内吸收损耗系数α_i做了计算和讨论.另外,还测试了多模激光器的张弛振荡效应,并分析了自发辐射、超辐射及直流预偏置对这些激光器张弛振荡的影响和抑制作用.