%0 Journal Article
%T 半导体Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs DH激光器张弛振荡效应的实验研究
%A 赵礼庆
%A 张存善
%A 唐政
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文介绍了半导体DH激光器张弛振荡效应的测试原理与方法.重点测试了我所研制的质子轰击条形单模90-15~*DH激光器,测得其张弛振荡频率f_r从注入脉冲电流,I_p=1.5Ipth时的 800 MHz左右增至Ip=1.5I_(pth)时的2GHz左右;并对该器件的光子寿命τ_p和有源层腔内吸收损耗系数α_i做了计算和讨论.另外,还测试了多模激光器的张弛振荡效应,并分析了自发辐射、超辐射及直流预偏置对这些激光器张弛振荡的影响和抑制作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A3CF0827B08CA2930778772414AF9892&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=1DF3F9D75A12D97B&eid=28F9D9CF04F424FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0