由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度

本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.