%0 Journal Article
%T 由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度
%A 张秀淼
%A 包宗明
%A 苏九令
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CC73243E8766AF3A16F7DDCD6644C728&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=C29816B2656377A7&eid=E0F6F365E4766526&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0