具有PTF>1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管的理论分析

本文由泊松方程和连续性方程在某种假设下推导得端电压方程,用以研究了具有 PTF>1及均匀载流子漂移速度的n~+PP~+(或P~+nn~+)、n~+pn~+(或p~+np~+)和MSM型硅雪崩二极管的交流特性.利用逐步近似法得到分析形式的解,表明这类器件从低频至某一特征的频率范围内均显示负阻.负阻在低频时很小,它随着频率的增大而增大,直到某一频率f_m时达极小值,然后很快地由负阻过渡至一正阻极大值,再随频率的增大而下降,最后渐近于零.