%0 Journal Article
%T 具有PTF>1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管的理论分析
%A 唐惟琅
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 本文由泊松方程和连续性方程在某种假设下推导得端电压方程,用以研究了具有 PTF>1及均匀载流子漂移速度的n~+PP~+(或P~+nn~+)、n~+pn~+(或p~+np~+)和MSM型硅雪崩二极管的交流特性.利用逐步近似法得到分析形式的解,表明这类器件从低频至某一特征的频率范围内均显示负阻.负阻在低频时很小,它随着频率的增大而增大,直到某一频率f_m时达极小值,然后很快地由负阻过渡至一正阻极大值,再随频率的增大而下降,最后渐近于零.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CB63A80B9A10959F5854EABCB570C08F&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=94E7F66E6C42FA23&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0