近红外全离子注入平面结构锗雪崩光电探测器的研制

本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型结构的Ge-APD,保护环注Be~+,P+层注B~+(或In~+)形成.测量结果表明,击穿电压Vs在37至50伏,光敏面直径为90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2至0.5μA,光电流倍增因子M在 12至 17,M=10时,过剩噪声因子 F<10,光响应度大于 0.5A/W.