%0 Journal Article
%T 近红外全离子注入平面结构锗雪崩光电探测器的研制
%A 丁国庆
%A 阚希文
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型结构的Ge-APD,保护环注Be~+,P+层注B~+(或In~+)形成.测量结果表明,击穿电压Vs在37至50伏,光敏面直径为90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2至0.5μA,光电流倍增因子M在 12至 17,M=10时,过剩噪声因子 F<10,光响应度大于 0.5A/W.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CBB8960C227E351BB30AA9D20DB3AD73&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=B40AD8FE6FA88DE9&eid=D98387EFB283C5E0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0