AlGaAs/GaAs异质结2-DEG的栅控特性和最挂掺杂

本文对MISS(金属-绝缘层-AlGaAs-GaAs)和MES(金属-AlGaAs-GaAs)结构异质结中二维电子气的栅控特性做了系统的理论分析.由此,给出与器件性质密切相关的平带电压和异质结各参量间的关系.值得指出,为了制造适宜于LSI中应用的增强型PET,应对AlGaAs进行最佳掺杂,而不用通常的均匀掺杂.文中也给出了这一最佳掺杂条件.