%0 Journal Article
%T AlGaAs/GaAs异质结2-DEG的栅控特性和最挂掺杂
%A 史常忻
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文对MISS(金属-绝缘层-AlGaAs-GaAs)和MES(金属-AlGaAs-GaAs)结构异质结中二维电子气的栅控特性做了系统的理论分析.由此,给出与器件性质密切相关的平带电压和异质结各参量间的关系.值得指出,为了制造适宜于LSI中应用的增强型PET,应对AlGaAs进行最佳掺杂,而不用通常的均匀掺杂.文中也给出了这一最佳掺杂条件.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=26ACAA9C532AE9B8&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=1DF3F9D75A12D97B&eid=28F9D9CF04F424FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0