高掺杂半导体中带尾结构对自发复合过程的影响

本文分析了自发发射光谱的峰值、半宽与载流子分布极大值、半宽的关系,研究了抛物-指数带和高斯型杂质带中载流子分布极大值与半宽的变化规律、并计算了不同补偿度下的载流子分布极大值和半宽.分析了各能级间的跃迁特点,计算了整个能量范围内的跃迁矩阵元,计算了导带到价带和导带到杂质带的辐射复合寿命,讨论了使掺Si-GaAs发光二极管响应时间变长的原因.在室温下测量了不同补偿度的掺Si-GaAs发光二极管的稳态和瞬态时间分辨光谱.实验结果与理论计算定性一致.