%0 Journal Article
%T 高掺杂半导体中带尾结构对自发复合过程的影响
%A 郭长志
%A 李国华
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文分析了自发发射光谱的峰值、半宽与载流子分布极大值、半宽的关系,研究了抛物-指数带和高斯型杂质带中载流子分布极大值与半宽的变化规律、并计算了不同补偿度下的载流子分布极大值和半宽.分析了各能级间的跃迁特点,计算了整个能量范围内的跃迁矩阵元,计算了导带到价带和导带到杂质带的辐射复合寿命,讨论了使掺Si-GaAs发光二极管响应时间变长的原因.在室温下测量了不同补偿度的掺Si-GaAs发光二极管的稳态和瞬态时间分辨光谱.实验结果与理论计算定性一致.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F4D03CE0A8624990133610F58EF6F6AE&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=4290346F7268639E&eid=7ABC4505E3960D2B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0