n-InSb的纵向磁阻振荡

在测量磁阻振荡的直流法中,加一级差分放大,可显著提高分辨振荡峰的本领,因而可以用较低的磁场研究电子浓度为 10~(15)cm~(-3)数量级的 n-InSb的磁阻振荡.这一方法适用于纵向磁阻振荡的研究.在液氦温度到10K的范围内,测量了四个n-InSb样品.从振荡频率得到载流子浓度,与霍尔效应的结果相符.从振荡峰的幅度-温度关系得到导带底的电子有效质量m~*=0.0137m_o. 从振荡峰与温度及外加电场的变化关系中,可求得样品的 Dingle温度及过热电子温度.在4.2K-7.2K温度范围内Dingle温度不变.在实验所用的电场下过热电子温度可达到14K.