%0 Journal Article
%T n-InSb的纵向磁阻振荡
%A 傅柔励
%A 郑国珍
%A 汤定元
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 在测量磁阻振荡的直流法中,加一级差分放大,可显著提高分辨振荡峰的本领,因而可以用较低的磁场研究电子浓度为 10~(15)cm~(-3)数量级的 n-InSb的磁阻振荡.这一方法适用于纵向磁阻振荡的研究.在液氦温度到10K的范围内,测量了四个n-InSb样品.从振荡频率得到载流子浓度,与霍尔效应的结果相符.从振荡峰的幅度-温度关系得到导带底的电子有效质量m~*=0.0137m_o. 从振荡峰与温度及外加电场的变化关系中,可求得样品的 Dingle温度及过热电子温度.在4.2K-7.2K温度范围内Dingle温度不变.在实验所用的电场下过热电子温度可达到14K.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=35A5C213E695D77D492090F53285354D&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=D6354F61445E9456&eid=9CA95D22FC1D537C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0