在Si上的离化团束外延Ge

<正> 用离子团束法来外延半导体材料是低温外延的一种可能途径.所谓离化团束外延(ICBE),其特点是在薄膜的外延过程中,引入了一定数量的具有一定能量的离子.在ICBE情况下,外延材料在喷射炉中被加热成零点几个托到 10~(-2)托的蒸气喷入10~(-5)托左