%0 Journal Article
%T 在Si上的离化团束外延Ge
%A 秦复光
%A 王向明
%A 杨光荣
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X <正> 用离子团束法来外延半导体材料是低温外延的一种可能途径.所谓离化团束外延(ICBE),其特点是在薄膜的外延过程中,引入了一定数量的具有一定能量的离子.在ICBE情况下,外延材料在喷射炉中被加热成零点几个托到 10~(-2)托的蒸气喷入10~(-5)托左
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A88CA185FDC9D618&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=78F0EFE028BD3783&eid=4966445AEEBA9556&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0