N~+N~-P结构的电场模型及其在LEC晶体管分析中的运用

研究了N~+N~-P结构中低掺杂N~-区中的电场效应以及由此引起的空穴在N~-区中的积累效应,提出了积累效应临界点的概念.第一次给出显含电场的N~-区空穴分布及空穴电流的解析表达式.扩展了LEC晶体管的概念,研究了在N~-区电场影响下高频LEC 晶体管的β_y和f_T的变化情况,得出了一些新的结论.计算机数字分析表明,理论与实际符合较好.