%0 Journal Article
%T N~+N~-P结构的电场模型及其在LEC晶体管分析中的运用
%A 黄新群
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 研究了N~+N~-P结构中低掺杂N~-区中的电场效应以及由此引起的空穴在N~-区中的积累效应,提出了积累效应临界点的概念.第一次给出显含电场的N~-区空穴分布及空穴电流的解析表达式.扩展了LEC晶体管的概念,研究了在N~-区电场影响下高频LEC 晶体管的β_y和f_T的变化情况,得出了一些新的结论.计算机数字分析表明,理论与实际符合较好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A0A9E73AF2A0C77&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=FEF02B4635FE8227&eid=334E2BB8B9A55ABB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0