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ISSN: 2333-9721
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原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布

Keywords: 砷化镓,MESFET,掺杂,浓度分布,迁移率分布

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Abstract:

本文提出一种原位测定GaAsMESFET沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法.建立了测试模型.推导出测量计算公式.用最优化方法处理实验数据,由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果.

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