%0 Journal Article
%T 原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布
%A 张友渝
%A 程兆年
%A 张俊岳
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．
%K 砷化镓
%K MESFET
%K 掺杂
%K 浓度分布
%K 迁移率分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C14F8739AA0172F&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=68FF5306A8F9C315&eid=F3549E0657848E2A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3