亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的能带结构

根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x在(100)面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算了亚稳半导体(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x的直接能隙与组分x间的变化关系.并把计算结果与实验及以前的理论模型进行了比较与讨论.